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• 1 x KS 193 IE 3 ( = SP 8690 = ECL-Teiler 10:1/ 11:1 bis 200 MHz )
• 1 x Röhre 1 SH 17 B ( 1 J 17 B / HF - Pentode )
• 1 x 74 S 30 ( KR 531 LA 2 )
• 1 x Kondensator 330 nF 630 V 10 % radial
• 1 x Elko 680 uF  10 V  105° radial
• 1 x Kondensator 150 pF 630 V 20 % axial
• 1 x B 083 D ( = TL 083 = 2 BIFET OPV )
• 1 x K 500 LE 211 ( = MC 10211 2x 3-3 Input 3-3 Output NOR )
• 1 x SAY 12 L2/13
• 1 x Röhre 6 SH 3 P-E ( 6Ж3П-E = 6 J 3 P-E = EF 96 = 6 AG
• 1 x B 303 D ( Initiator-IC )
• 1 x 2 N 6661 ( MOSFET , N-CH , 90 V , 2 A )
• 1 x VQ 110 C ( Infrarot - Diode , RFT )
• 1 x KF 910 ( = BF 910 = Dual Gate-MOSFET )
• 1 x Elko 47 uF 400 V 105° radial ( KXG )
• 1 x BF 996 SRA ( = N-Channel Dual Gate MOSFET = SMD )
• 1 x Kondensator 10 nF 630 V 5 % radial
• 1 x SY 192/8 ( Silizium Leistungs-Diode 45 A , 800 V , M6 )
• 1 x 74 S 00 ( MH 74 S 00 )
• 1 x 74 S 257 ( KR 531 KP 11 )
• 1 x SAM 62
• 1 x Kondensator 1,5 nF 630 V 10 % axial
• 1 x Glimmerkondensator 270 pF 250 V 5% ( Silver Mica )
• 1 x TL 084 ACDP ( Operationsverstärker 4-fach ) #M
• 1 x TL 7705 ACP ( Supply Voltage Supervisors 3...18 V ) #M
• 1 x B 325 K ( Transistorarray )
• 1 x Elko 220 uF 10 V radial 85°
• 1 x Elko 47 uF 10 V radial
• 1 x B 380 K ( Transistorarray )
• 1 x SAL 41 B ( Doppel- Diode )
• 1 x KP 302 BM ( N - Channel = 2N3824 )
• 1 x CF 739 ( N-Channel Dual Gate GaAs-MESFET bis 2 GHz )
• 1 x 74 S 151 ( KR 531 KP 7 )
• 1 x Kondensator 33 nF 630 V 10 % radial #2
• 1 x K 500 LP 107 ( = MC 10107 3x 2 Input Ex-OR/Ex-NOR )
• 1 x U 253 D ( 1 kBit dynamischer RAM )
• 1 x KP 302 VM ( N - Channel = 2N3972 )
• 1 x SAY 30 L2
• 1 x SY 171-1G ( Gleichrichter-Diode 25 A , 100 V, M8 )
• 1 x Sortiment ECL - IC (36 Stück , K 500 ... )
• 1 x B 360 K ( Transistorarray )
• 1 x Kondensator 4,7 nF 630 V 5 % radial
• 1 x MRF 947 BT1 ( = Si npn, 8 GHz, Low noise, SOT-322 )

• Total: 79,50€