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Ga - As Tunnel - Diode AI 402 E

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eine  Ga - As Tunnel - Diode  AI 402 E

( АИ402E )  aus russischer Produktion.

Die Daten:

IP      - Peak Point Current
VP     - Peak Point Voltage
CT     - Valley Point Terminal Capacitance
VPP   - Projected Peak-Point Voltage

L        - Inductance
IP/IV   - Peak to Valley Current Ratio
IF         - Forward Current
IR         - Reverse Current
TE        - Environment Temperature

 

 

Maximal parameters

 

 

 

Average parameters

 

 

TE

 

 

Т=25°C

 

 

 

Т=25°C

 

 

 

IP

   VP

CT

VPP

L

IP/IV  

IFS

IF

IR

°C

mV

pF

V

nGn

 

 

0,2

-600

< 8

 -

-

-

 -

0,05

2

85

 
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