Ga - As Tunnel - Diode AI 301 A

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Beschreibung

eine Ga - As Tunnel - Diode AI 301 A

( АИ301А ) aus russischer Produktion.

Die Daten:

IP    - Peak Point Current
VP     - Peak Point Voltage
CT - Valley Point Terminal Capacitance
VPP   - Projected Peak-Point Voltage

L       - Inductance
IP/IV   - Peak to Valley Current Ratio
IF         - Forward Current
IR         - Reverse Current
TE        - Environment Temperature

		Maximal parameters				Average parameters			TE
		Т=25°C				Т=25°C
IP	VP	CT	VPP	L	IP/IV	IFS	IF	IR	°C
mА	mV	pF	V	*nGn*		mА	mА	mА
2	180	<12	0.65	1,5	8	-	1.2	-	70

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