Ga - As Tunnel - Diode 3I 306 N

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Beschreibung

eine Ga - As Tunnel - Diode 3I 306 N

( 3И306Н ) aus russischer Produktion.

Die Daten:

IP    - Peak Point Current
VP     - Peak Point Voltage
CT - Valley Point Terminal Capacitance
VPP   - Projected Peak-Point Voltage
IP/IV - Peak to Valley Current Ratio
IFS     - Forward Current Switching Mode
IFC     - Forward Current Constant Mode
IR       - Reverse Current
TE      - Environment Temperature

		Maximal parameters				Average parameters			TE
		Т=25°C				Т=25°C
IP	VP	CT	VPP	*r_п.*	IP/IV	IFS	IFC	IR	°C
mА	mV	pF	mV	*Ohm*		mА	mА	mА
9...11	170	15...50	850	-	8	12	9	20	100

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